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  • PT模拟型压力传感器芯体
    PT模拟型压力传感器芯体
    PT模拟型压力传感器芯体$n模拟型压力传感器芯体温度性能好随着集成工艺技术进步,扩散硅敏感膜的四个电阻*性得到进一步提高,原始的手工补偿已被激光调阻、计算机自动修整技术所替代,传感器的零位和灵敏度温度系数已达10-5/°C数量级,工作温度也大幅度提高。

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  • 模拟型压力传感器芯体
    模拟型压力传感器芯体
    模拟型压力传感器芯体温度性能好随着集成工艺技术进步,扩散硅敏感膜的四个电阻*性得到进一步提高,原始的手工补偿已被激光调阻、计算机自动修整技术所替代,传感器的零位和灵敏度温度系数已达10-5/°C数量级,工作温度也大幅度提高。

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  • 数字型压力传感器芯体
    数字型压力传感器芯体
    PT124G-3103数字型压力传感器芯体抗电击穿性能好,由于采用了特殊材料和装配工艺,扩散硅传感器不但可以做到130℃正常使用,在强磁场、高电压击穿试验中可抗击1500V/AC电压的冲击。

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  • 扩散硅压力传感器芯体
    扩散硅压力传感器芯体
    PT124G-310扩散硅压力传感器芯体耐腐蚀性好由于扩散硅材料本身优良的化学防腐性能好,即使传感器受压面不隔离,也能在普通使用中适应各种介质。硅材料又与硅油有良好的兼容性,使它在采用防腐材料隔离时结构工艺更易于实现。加之它的低电压、低电流、低功耗、低成本和本质安全防爆的特点,可替代诸多同类型的同功能产品,具有zui优良的性能价格比。

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  • 耐高温单晶硅压力传感器
    耐高温单晶硅压力传感器
    PT124G-3500-60/60J耐高温单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。

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  • 高精度单晶硅差压传感器
    高精度单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列高精度单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • 哈氏合金单晶硅差压传感器
    哈氏合金单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • 316L不锈钢单晶硅差压传感器
    316L不锈钢单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列316L不锈钢单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • 负压测量单晶硅差压传感器
    负压测量单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列负压测量单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • 高精度单晶硅差压传感器
    高精度单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列高精度单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • 温度补偿型单晶硅差压传感器
    温度补偿型单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列温度补偿型单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • 高过压性能单晶硅差压传感器
    高过压性能单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列高过压性能单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • MEMS技术单晶硅差压传感器
    MEMS技术单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列MEMS技术单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • 工业控制用单晶硅差压传感器
    工业控制用单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列工业控制用单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • 单晶硅差压传感器
    单晶硅差压传感器
    PT124G-3500-55/55D系列单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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  • 可定制单晶硅压力传感器
    可定制单晶硅压力传感器
    PT124G-3500-60/60J可定制单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。

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  • 哈氏合金单晶硅压力传感器
    哈氏合金单晶硅压力传感器
    PT124G-3500-60/60J哈氏合金单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。

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  • 316L不锈钢单晶硅压力传感器
    316L不锈钢单晶硅压力传感器
    PT124G-3500-60/60J316L不锈钢单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。

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  • 高稳定性单晶硅压力传感器
    高稳定性单晶硅压力传感器
    PT124G-3500-60/60J高稳定性单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。

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  • 耐高温单晶硅压力传感器
    耐高温单晶硅压力传感器
    PT124G-3500-60/60J耐高温单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。

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