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PT124G-310扩散硅压力传感器芯体

PT124G-310扩散硅压力传感器芯体耐腐蚀性好由于扩散硅材料本身优良的化学防腐性能好，即使传感器受压面不隔离，也能在普通使用中适应各种介质。硅材料又与硅油有良好的兼容性，使它在采用防腐材料隔离时结构工艺更易于实现。加之它的低电压、低电流、低功耗、低成本和本质安全防爆的特点，可替代诸多同类型的同功能产品，具有*良的性能价格比。

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2024-11-05

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PT124G-3500型耐高温单晶硅压力传感器

PT124G-3500-60/60J耐高温单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片，具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌*信号处理模块，能实现静压、差压与温度的宽范围补偿，能提供*的稳定性和测量高精度。

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PT124G-3500型高精度单晶硅差压传感器

PT124G-3500-55/55D系列高精度单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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2024-11-05

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PT124G-3500哈氏合金单晶硅差压传感器

PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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PT124G-3500316L不锈钢单晶硅差压传感器

PT124G-3500-55/55D系列316L不锈钢单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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PT124G-3500负压测量单晶硅差压传感器

PT124G-3500-55/55D系列负压测量单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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