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MEMS技术单晶硅差压传感器

PT124G-3500-55/55D系列MEMS技术单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

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PT124G-3500-55/55D系列MEMS技术单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片,内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块,是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上,使膜片产生与压力成正比例关系的微位移,并将该压力差传递至单晶硅芯片两端,通过集成电路监测该位移变化,并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。
传感器具有超高过压性能及良好的温度补偿,安装便捷,具有良好的环境适应性,可广泛用于各类工控环境。

单晶硅差压传感器特点:

1.采用进口FST单晶硅MEMS芯片进行封装,产品具有超高精度,可达0.04%FS
2.具有优异的过压性能
3.可用于负压力测量
4.智能静压补偿和温度补偿,环境适应性强

单晶硅差压传感器技术规格:

差压传感器尺寸图

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